NRE-3000 反應離子刻蝕機：PC控制的RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設計，真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空?？梢栽?0mTorr到8Torr之間的真空下工作。

RIE反應離子刻蝕機  

NRE-3000 反應離子刻蝕機概述：獨立式RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6Torr或更小的極限真空。該系統系統可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關重要。  

NRE-3000反應離子刻蝕機是基于PC控制的全自動系統.系統真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數字形式實時顯示.系統提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式),和全自動執行程序模式(操作模式)運行系統。基于全自動的控制，該系統具有高度的可重復性。  

產品特點：  

鋁質腔體或不銹鋼腔體  

不銹鋼立柜  

能夠刻蝕硅的化合物(~400?/min)以及金屬  

典型的硅刻蝕速率，400?/min  

高達12"的陽極氧化鋁RF樣品臺  

水冷及加熱的RF樣品臺  

大的自偏壓  

淋浴頭氣流分布  

極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可以達到10-6Torr級別  

渦輪分子泵  

至多支持4個MFC  

無繞曲氣體管路  

自動下游壓力控制  

終點監測  

氣動升降頂蓋  

手動上下載片  

基于LabView軟件的PC計算機全自動控制  

菜單驅動，4級密碼訪問保護  

*的安全聯鎖  

可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺，用于深硅刻蝕  

NRE-3000 反應離子刻蝕機型號：  

NRE-4000：基于PC計算機全自動控制的獨立式系統，占地面積26“Dx44"W  

NRE-3500：基于PC計算機全自動控制的緊湊型獨立式系統，占地面積26“Dx26"W  

NRE-3000：基于PC計算機全自動控制的臺式系統，占地面積26“Dx26"W  

NRP-4000：RIE/PECVD雙系統  

NDR-4000：深RIE刻蝕(深硅刻蝕)系統