原子層沉積設備是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。
原子層沉積設備的特點
1、傳輸管路的優化設計，有效地避免管路堵塞及交叉污染問題
2、工業化級別標準集成：PLC+工控機+觸摸屏
3、軟件操作界面友好，可真正實現“一鍵沉積”
4、完善全面的安全互鎖方案
5、實時監測鍍膜工藝
技術指標
1、本底真空：＜5.0×10-3torr，高性能機械泵（可定制其它款型）
2、樣品腔室：φ100mm+真空過渡腔（可定制其它款型）
3、前驅體源：3路
4、氧化/還原反應物：3路
5、沉積溫度：室溫-500℃（可定制其他溫度）
6、前驅體管道溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
7、源瓶加熱溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
原子層沉積設備是一款全自動獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等）。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。
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更新時間：2022-12-28 
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