NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

 ICPECVD沉積技術

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統概述：NANO-MASTER ICPECVD系統能夠沉積高質量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可達6” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10^-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數。

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統應用：

1. 等離子誘導表面改性：就是通常所說的用等離子實現表面改性(如親水性、疏水性等)
2. 等離子清洗：去除有機污染物
3. 等離子聚合：對材料表面產生聚合反應
4. 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石)，以及其它薄膜
5. CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長：在需要的位置生長CNT或石墨烯。

NPE-4000（ICPM）特點：

• 立式ICPECVD系統
• 不銹鋼或鋁制腔體
• 極限真空可達10-7Torr
• ICP離子源
• 高達12”(300mm)直徑的樣品臺
• RF射頻偏壓樣品臺
• 水冷樣品臺
• 可加熱到的800 °C樣品臺
• 加熱的氣體管路
• 加熱的液體傳送單元
• 抗腐蝕的渦輪分子泵組
• z大可支持到8MFC
• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
• 菜單驅動，4級密碼訪問保護
• 完整的安全聯鎖